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开拓者独辟蹊径，可再保守者因循守旧，探索者勇攀高峰，执着者勇往直前。源电（c,d）透射电子显微镜图像和电子能量损失光谱图显示了具有双栅极结构的InSeFET的横截面。
曾获省级优秀毕业生、力总量消研究生校长奖、研究生国家奖学金等荣誉。任权导通电流和峰值跨导值是从VDD电压窗口和标准关断电流为100nAμm−1的传输特性中提取的。
重最值（f）计算了三层InSe和钇掺杂诱导的相变接触区的能带结构（其中Y原子被替代掺杂在InSe的顶层）。研究人员开发了一种钇掺杂诱导相变方法，低值用于与InSe进行欧姆接触，并且InSeFET的沟道长度被缩小到10nm。